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通信基站對(duì)國外芯片的依賴程度很高，其中大部分是美國芯片公司。目前，基站系統(tǒng)主要由基帶處理單元（BBU）和射頻遙控單元（RRU）組成。通常，一個(gè)BBU對(duì)應(yīng)多個(gè)RRU。相比之下，RRU芯片國產(chǎn)化程度低，對(duì)外依存度高，主要困難在于RRU芯片涉及大功率射頻場景，通常是GaAs或Gan材料，而中國大陸則缺乏相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)鏈。美國制造商壟斷了大功率射頻設(shè)備。具體來說，目前RRU器件中的PA、LNA、DSA、VGA等芯片主要采用來自Qorvo、Skyworks等公司的砷化鎵或氮化鎵工藝。氮化鎵器件通常是碳化硅襯底，即SiC上的Gan。射頻收發(fā)器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器采用硅砷化鎵工藝，主要生產(chǎn)廠家包括Ti、ADI、IDT等公司。以上廠商均為美國公司，因此通信基站芯片對(duì)美國廠商的依賴性很強(qiáng)，MCU、nor-flash、IGBT等都是汽車電子對(duì)半導(dǎo)體器件的主要需求。單片機(jī)主要應(yīng)用于傳統(tǒng)汽車，包括動(dòng)力控制、安全控制、發(fā)動(dòng)機(jī)控制、底盤控制、汽車電器等。新能源汽車還包括ECU、PCU、VCU、HCU、BMS和IGBT。

此外，上述相關(guān)系統(tǒng)、緊急制動(dòng)系統(tǒng)、胎壓檢測儀、安全氣囊系統(tǒng)等應(yīng)使用nor flash作為代碼存儲(chǔ)，MCU通常使用8英寸或12英寸，45nm~0.15Nmμ NOR閃光通常使用45nm~0.13nmμ 工藝成熟，國內(nèi)已基本實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，用于智能驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體器件包括高性能計(jì)算芯片和ADAS系統(tǒng)。高性能計(jì)算芯片目前采用的是12英寸的先進(jìn)工藝，而ADAS系統(tǒng)中的毫米波雷達(dá)采用的是砷化鎵材料，目前國內(nèi)還不能批量生產(chǎn)，AI芯片和礦機(jī)芯片屬于高性能計(jì)算，對(duì)先進(jìn)工藝有更高的要求。在人工智能和區(qū)塊鏈場景下，傳統(tǒng)的CPU計(jì)算能力不足，新型架構(gòu)芯片成為發(fā)展趨勢。目前，主要有延續(xù)傳統(tǒng)架構(gòu)的GPU、FPGA、ASIC（TPU、NPU等）芯片路徑，以及完全顛覆傳統(tǒng)計(jì)算架構(gòu)、利用模擬人腦神經(jīng)元結(jié)構(gòu)提高計(jì)算能力的芯片路徑。GPU生態(tài)系統(tǒng)在云領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，終端場景專業(yè)化是未來的發(fā)展趨勢。

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