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工作電壓(V_AC):最高50

耗散系數(shù)(%):C0G = 0.15;X7r = 2.5

絕緣電阻(MΩ):100 000

介電試驗(yàn)(V):2.5倍額定電壓

工作溫度范圍:-55 ~ +125℃

電容范圍:100pf ~ 4700pf

額定直流電壓:500v;1 kV;2 kV;3 kV

介電強(qiáng)度:額定電壓的200%

500vdc時(shí)絕緣電阻:≥10000 MΩ min。

電容公差:±10%;±20%

耗散系數(shù):最大0.2%。

工作溫度范圍:-30℃~ +125℃

電容范圍(E12系列):1000pf ~ 15 μF

電容公差:±20% (M)，±10% (K)，±5% (J)

封裝:ul - 94 V-0級(jí)阻燃塑料外殼

溫度范圍:-55℃~ +100℃

額定直流電壓:63vdc、100vdc、250vdc、400vdc、630 VDC、1000vdc

60hz以下允許交流電壓(RMS): 40vac、63vac、160vac、200vac、220vac

電容范圍(E12系列)：0.01 μF至2.2 μF

電容公差：±10%，±20%(根據(jù)要求±5%)

額定交流電壓：310 VAC;50hz ~ 60hz

允許直流電壓：85℃時(shí)800vdc; 110℃時(shí)630 VDC

符合IEC 60068-1：40 /110/56/C的氣候測試等級(jí)

最高使用溫度：110°C

電容范圍(E12系列)：0.001 μF至3.3 μF

容差：±20%；±10%，±5% 

符合IEC 60068-1：55 /110/56/B的氣候測試等級(jí)

額定交流電壓：310 VAC；50hz ~ 60hz

允許直流電壓：85℃時(shí)800vdc, 110℃時(shí)630 VDC

最高使用溫度：C≤470nf: 110℃(125℃≤1000h)， C > 470nf: 110℃

· 溝槽式IGBT高速

· 方形RBSOA

· HEXFRED? 低 Qrr、低開關(guān)能量應(yīng)用

· 溝槽和場截止IGBT技術(shù)

· 正 VCE(on) 溫度系數(shù)

· 10 μs 短路能力

· 電隔離底板

· 高達(dá) 1200 VRRM 的類型

· 3500 VRMS 隔離電壓

· 玻璃鈍化液絡(luò)部，可靠性更高

· 電隔離底板

· 提供高達(dá) 1200 VRRM/VDRM 的電壓

工作溫度：-20℃~+85℃

CR公差：3 WVDC ~ 75wvdc ：+ 75%， - 10%;100wvdc ~ 450wvdc ：+ 50%， - 10%

紋波電流：20~3140最大安培rms在120Hz和+85°C，取決于電容

85°C下的使用壽命：500 h

?12w, 25°C

?CCTU 05-03b (pa9)

?玻璃風(fēng)格

?材料分類：用于符合性的定義

• 濕式鉭電容器燒結(jié)陽極

• TANTALEX? 電容器

• 工作溫度為 +125 °C

• 彈性體密封

• 電容范圍：4.0 ~ 5.0 nF

• 電容公差：±10%

• 陶瓷介電：R85 (TCC - 750 ppm/K)

• 額定電壓：?16 kVp 　　?20 kVp

• 介電強(qiáng)度試驗(yàn)：額定電壓的200%，50hz

• 射頻功率測試：在測試發(fā)電機(jī)電路中，以額定功率的120%運(yùn)行10分鐘

• 耗散因子：最大0.05%

• 測量頻率:300khz或100khz

• 絕緣電阻：最小10 000 M(25°C)

?精密電容器，公差1%和2%，E96的中間值是可用的系列

?脈沖操作

?SMPS和晶閘管電路

?存儲(chǔ)，濾波，定時(shí)和采樣和保持電路