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  Vishay SIS626DN-T1-GE3 N溝道25V MOSFET 2024-05-16 09:31:15

  Vishay Siliconix的SIS626DN-T1-GE3是一款高效N溝道25V MOSFET，采用TrenchFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。適用于適配器和負(fù)載開關(guān)，尤其在高側(cè)開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件在Vgs=10V時提供25V漏源電壓和0.0115Ω導(dǎo)通電阻，支持高達(dá)15.1A的連續(xù)漏極電流和32A的脈沖電流，同時具備良好的熱特性。

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  Rogers curamik Performance?基板 2024-09-26 10:41:35

  Rogers curamik Performance基板為高性能電子基板，采用活性金屬釬焊工藝與銅焊接的Si3N4陶瓷材料，適用于汽車電力電子等需長壽命、高功率密度和高穩(wěn)定性的場景，有熱導(dǎo)率高（20°C時達(dá)90W/mK）、6種厚度選項、特定熱膨脹系數(shù)（20 - 300°C為2.5ppm/K）等特性，具備高性能應(yīng)用、高功率密度、成本與性能平衡等優(yōu)勢，還有母板尺寸、最大可用面積、銅剝離強度以及銅線寬度/間距等相關(guān)參數(shù)。